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簡(jiǎn)要描述：原子層沉積系統ALD：ALD可實(shí)現從傳統的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學(xué)性質(zhì)的三維復雜納米結構。
產(chǎn)品型號：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2024-05-21訪(fǎng) 問(wèn) 量：1537詳細介紹
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ALD可實(shí)現從傳統的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學(xué)性質(zhì)的三維復雜納米結構。
原子沉積系統ALD
標準型（Standard ）設備
價(jià)格低、質(zhì)量高、可任選附件進(jìn)行搭配
結構簡(jiǎn)單，操作方便，后期維護簡(jiǎn)單易行
用途廣，適合各種基底材料
原子層沉積系統ALD ——擴展型（Flexivol）設備
腔室體積可根據用戶(hù)樣品的尺寸靈活調節，同一腔室可通過(guò)簡(jiǎn)單的調節適用于不同厚度的樣品
增多前驅體源入口數目，避免腔室體積增大對前驅體化學(xué)源氣氛分布的影響
ALD原子層沉積系統——高度定制化（Non-Standard）設備
為工業(yè)客戶(hù)提供薄膜沉積方案
放大基于標準研究型設備檢驗的相同技術(shù)
根據客戶(hù)的特殊需求，加工定制，滿(mǎn)足特殊應用及大規模的生產(chǎn)需要
研發(fā)（R&D）服務(wù)
開(kāi)發(fā)新的薄膜沉積方案
診斷、改進(jìn)現有ALD的工藝
為潛在的客戶(hù)做覆膜演示
薄膜沉積工藝咨詢(xún)
原子層沉積系統ALD技術(shù)參數
不銹鋼材質(zhì)腔室，根據客戶(hù)樣品尺寸有不同的腔室直徑（D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm）和高度（H = 20 mm, H = 50 mm）可選；前驅體進(jìn)樣系統標配四路（包含冷和熱兩種前軀體），可配至八路
前驅體進(jìn)樣系統配有快速氣動(dòng)閥門(mén)
多段溫度控制
前驅體溫控0-200 °C，精度1 °C
腔室溫控0-300 °C ，精度1 °C
進(jìn)出腔室管路溫控0-150 °C ，精度1 °C
基本壓強 10^?1/10^?3 mbar
設備尺寸 1000x600x1000 mm
觸控控制系統
系統當前狀態(tài)信息顯示：氣流速度、溫度、壓力和閥門(mén)開(kāi)度等
工藝監控：溫度和壓力等
偏差報警和安全鎖
菜單操作，實(shí)時(shí)監控
可增配選項
等離子體發(fā)生器 借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強ALD性能
臭氧發(fā)生器 提供強氧化劑，增大ALD生長(cháng)的前驅體選擇范圍
石英晶體微天平 在線(xiàn)監測薄膜沉積的厚度
工業(yè)及非標研發(fā)系統
產(chǎn)品分類(lèi)
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